三星申请图像传感器专利,实现着陆结构的至少一部分水平重叠下电路器件

发布日期:2024-03-24 18:34    点击次数:70

  2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括具有与栅极电极相同材料的着陆结构的图像传感器“,公开号CN117641963A,申请日期为2023年8月。

  专利摘要显示,一种图像传感器,包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的下基底,设置在第一表面上的下电路器件,电连接到第一表面上的下电路器件的下布线结构,在第二表面上的下键合垫,在下键合垫和下布线结构之间穿过下基底的下键合过孔,设置在第一表面上并接触下键合过孔的着陆结构,在下键合垫上键合到下键合垫的上键合垫以及设置在上键合垫上并包括光电转换器件的上基底。着陆结构的至少一部分水平重叠下电路器件。